- Бренд:
- Код товару:MZ-V9E1T0BW
- Доступно:В наявності
Доставка безкоштовна на відділення Нової пошти при умові повної оплати на розрахунковий рахунок для товарів від 6000 грн. При оплаті післяплатою доставка по тарифах перевізника за рахунок одержувача! Гарантія офіційна.
4 990 грн.
В наявності
Самовивозу на даний час немає, відправка товару Новою поштою. Перевіряйте посилку при отриманні! Дорогі або габаритні товари відправляються за передоплатою.
Samsung 990 Evo — внутрішній SSD-накопичувач формфактора M.2, з яким ви зможете підвищити продуктивність, щоб вона відповідала потребам вимогливих ігор, бізнесу та творчої роботи.
Модель забезпечує покращену швидкість послідовного читання до 5 000 МБ/с та запису до 4 200 МБ/с, завдяки чому значно зменшиться час на очікування завантаження програм та застосунків. Завдяки підтримці найновіших інтерфейсів PCIe 4.0 x4 і PCIe 5.0 x2 диск пропонує гнучкість для поточних обчислень і майбутніх.
990 EVO оснащений розумним тепловим рішенням, яке допомагає контролювати температуру мікросхем пам’яті V-NAND TLC. Передовий алгоритм термоконтролю Samsung у поєднанні з Dynamic Thermal Guard забезпечує постійну та надійну роботу.
Наявні інструменти оптимізації програми Samsung Magician забезпечують найкращу продуктивність SSD. Це безпечний і простий спосіб перенести всі ваші дані для оновлення SSD Samsung. Захистіть цінну інформацію, стежте за справністю диска та отримуйте останні оновлення мікропрограми.
Характеристики | |
IOPS (читання/запис) | немає даних |
TBW (ресурс записів) | 600 TБ |
Ємність | 1 ТБ |
Інтерфейс | PCIe Gen4 x4 |
Габарити | 80 х 22 х 2.3 мм |
Для комп'ютерів | так |
Для ноутбуків | так |
Додаткові дані | Підтримка TRIM, SMART |
Енергоспоживання | немає даних |
Зовнішня швидкість запису | 4200 Мб/сек |
Зовнішня швидкість зчитування | 5000 МБ/с |
Контролер | немає даних |
Наявність підсвічування | ні |
Об'єм накопичувача | 1 ТБ |
Підтримка NVMe | є |
Ресурс | 600 TBW |
Серія | Samsung 990 EVO |
Споживання енергії | немає даних |
Тип | внутрішній |
Тип NAND пам'яті | 3D NAND |
Тип пам'яті | TLC |
Ударостійкість | є |
Форм фактор | M.2 2280 |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Час напрацювання на відмову | 1.5 млн годин |
Швидкість запису | 4200 Мб/сек |
Швидкість зчитування | 5000 МБ/сек |
Ще не було питань.